Giải pháp làm sạch wafer silicon công nghiệp Nhóm đôi tập trung

Giải pháp làm sạch wafer silicon công nghiệp Nhóm đôi tập trung

Để làm sạch tấm silicon một cách hiệu quả nhất, các nhà sản xuất silicon khuyên dùng danh sách các bước làm sạch sau:

Bước một: Dung môi sạch

Các doanh nghiệp sản xuất chất bán dẫn sử dụng dung môi để loại bỏ thành công dầu và cặn hữu cơ khỏi bề mặt của các tấm silicon. Trong khi các dung môi loại bỏ các chất gây ô nhiễm này, bản thân các dung môi thực sự để lại dư lượng trên bề mặt của các tấm wafer. Vì lý do này, một phương pháp hai dung môi được thực hiện để đảm bảo rằng wafer được đưa trở lại trạng thái không có chất gây ô nhiễm. Phương pháp làm sạch dung môi được nêu dưới đây:

Chuẩn bị hai phòng tắm, một thùng chứa thủy tinh với acetone và một bồn chứa methanol.

Đặt hộp chứa acetone trên một tấm nóng để làm nóng acetone đến nhiệt độ không quá 55 ° C.

Sau khi ấm, ngâm miếng wafer silicon trong bồn tắm acetone trong 10 phút.

Sau khi tắm xong acetone, loại bỏ wafer silicon và đặt nó vào thùng chứa methanol trong 5 phút.

Khi thời gian kết thúc, loại bỏ wafer khỏi metanol và rửa sạch trong nước DI.

Thổi khô wafer silicon bằng nitơ.

Bước hai: Làm sạch RCA-1

Những người trong ngành công nghiệp sản xuất chất bán dẫn sau đó sử dụng một bộ lọc sạch để loại bỏ cặn hữu cơ. Bộ lọc làm sạch oxy hóa silicon và cung cấp một lớp oxit bảo vệ mỏng cho bề mặt của wafer. Phương pháp làm sạch RCA-1 được nêu dưới đây:

Bắt đầu chuẩn bị bồn tắm bằng cách kết hợp 5 phần nước DI và 1 phần amoni hydroxit (27%).

Đặt hộp chứa RCA trên một tấm nóng để làm nóng dung dịch đến nhiệt độ khoảng 70 ° C.

Khi đã đạt được nhiệt độ này, hãy lấy vật chứa ra khỏi đĩa nóng và thêm 1 phần hydro peroxide (30%). Các giải pháp sẽ bong bóng sau một hoặc hai phút.

Khi dung dịch bắt đầu sủi bọt, ngâm miếng wafer silicon trong khoảng 15 phút.

Khi thời gian kết thúc, hãy tháo tấm wafer ra khỏi bồn tắm RCA và đặt nó vào một thùng chứa có nước DI, thay nước nhiều lần để rửa sạch hoàn toàn dung dịch.

Sau quá trình này, loại bỏ wafer khỏi thùng chứa dưới dòng nước chảy để đảm bảo rằng không có cặn từ bề mặt nước dính vào wafer.

Bước ba: Dip axit hydrofluoric (HF)

Các doanh nghiệp sản xuất chất bán dẫn sau đó thực hiện bước cuối cùng, nhúng HF, để loại bỏ silicon dioxide khỏi bề mặt wafer silicon. Điều quan trọng cần lưu ý là HF là một hóa chất nguy hiểm, vì vậy các nhà sản xuất silicon khuyên rằng đồ bảo hộ, như găng tay nặng và đeo mắt, nên được đeo mọi lúc trong bước này. Quá trình Dip Dip HF được phác thảo dưới đây:

Tạo một thùng chứa HF bằng cách kết hợp 480 ml nước với 20 ml HF. Luôn sử dụng cốc có mỏ nhựa thay vì cốc thủy tinh vì HF được biết là phản ứng nguy hiểm khi tiếp xúc với bất kỳ vật liệu thủy tinh nào.

Sau khi tạo dung dịch, ngâm miếng wafer silicon trong 2 phút.

Khi thời gian kết thúc, loại bỏ wafer và rửa sạch dưới nước DI.

Thực hiện kiểm tra độ ẩm bằng cách đổ nước DI lên bề mặt wafer. Nếu nước biến thành những hạt nhỏ và lăn ra, bạn sẽ biết rằng bề mặt kỵ nước và không có oxit.

Thổi khô wafer silicon bằng nitơ.

Thực hiện các bước trên được khuyến nghị bởi các nhà sản xuất silicon sẽ giúp những doanh nghiệp trong ngành sản xuất chất bán dẫn vượt qua những thách thức về ô nhiễm đối với tấm silicon.

Thông số kỹ thuật làm sạch wafer silicon

Nhà máy của chúng tôi

Nhà máy có diện tích 26653 mét vuông, xây dựng nhà xưởng lớp, nhà xưởng hạng C, nhà kho hạng C, nhà kho và các cơ sở phụ trợ khác. Liên quan đến hơn 100 loại hóa chất. Năng lực sản xuất 11000 tấn / năm.

Đầu tiên, hồ sơ sản xuất của công ty

1. Hội thảo lớp C
Xưởng sản xuất C, 2 #, 1 # với 3 dây chuyền sản xuất 3 #, 7 #, sử dụng thiết bị sản xuất khép kín, bao gồm sản xuất tự động hóa dòng 1 #, 2 #, 3 # và đặt hai dây chuyền chiết rót chất lỏng hoàn toàn tự động, thông số kỹ thuật làm đầy từ 1L ~ 25L có thể. Các thành phần được thực hiện trong một khu vực kín riêng biệt. Theo yêu cầu của giống sản phẩm, phòng điều khiển trung tâm của dây chuyền sản xuất loại C được trang bị tất cả các loại dụng cụ và cảm biến để tạo thành một số lượng lớn các hệ thống điều khiển.

2. Lớp một hội thảo
Lớp một xưởng với ba máy trộn trục và máy phân tán tốc độ cao ba bộ hai, chuyên nghiệp để cung cấp tất cả các loại sản xuất sơn và sơn.

3. Kho C
Khu vực xây dựng kho C rộng hơn 3300 mét vuông và có vùng cháy, có thể được sử dụng để phân loại nguyên liệu hóa học và thành phẩm.

4. Một nhà kho
Hai khu vực xây dựng kho rộng hơn 1400 mét vuông và có một khu vực cháy, có thể được sử dụng cho một, B loại nguyên liệu hóa học và thành phẩm lưu trữ phân loại.

5. Các cơ sở khác
Nhà máy có cơ sở xử lý nước thải chuyên nghiệp, công suất xử lý 20T / ngày, sau khi xử lý nước thải như nước khai hoang để sản xuất. Nhà máy được trang bị bốn bộ thiết bị xử lý khí thải, tất cả các cơ sở xử lý khí thải sau khi xả tiêu chuẩn.